檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "Wen-Cheng Ke".eadvisor (精準) and year="109"
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氮化鎵擁有高能隙、高電子飽和速度及高崩潰電場等優越特性，成為第三代 高頻、高功率應用元件之寬能隙半導體熱門材料。然而高功率操作下，元件產生 高溫，傳統金屬電極特性衰退，致使元件性能產生熱退化問題。因…
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下世代微發光二極體(Micro LED)顯示技術為追求更高解析度，LED晶粒需大幅縮小，然而當晶粒尺寸微縮時，亮度也隨之降低，增加注入電流維持顯示所需足夠亮度為最快解決方法。目前LED使用之氧化銦…
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氮化鎵為第三代高功率半導體熱門材料，在高功率動作下，元件將被施加更高偏壓，因此，如何提升氮化鎵薄膜材料品質以及提升薄膜電阻率攸關元件能否操作在更高功率。本研究針對上述問題提出使用石墨烯介面層結構，降…